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Handbook of Silicon Carbide Materials and Devices

Herausgegeben von:Feng Zhe Chuan

Inhalt

This handbook presents the key properties of silicon carbide (SiC), the power semiconductor for the 21st century. It describes related technologies, reports the rapid developments and achievements in recent years, and discusses the remaining challenging issues in the field.

Bibliografische Angaben

Dezember 2024, ca. 444 Seiten, Series in Materials Science and Engineering, Englisch
Taylor and Francis
978-1-032-38357-6

Inhaltsverzeichnis

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