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Handbook of Silicon Carbide Materials and Devices

Publié par:Feng Zhe Chuan

Contenu

This handbook presents the key properties of silicon carbide (SiC), the power semiconductor for the 21st century. It describes related technologies, reports the rapid developments and achievements in recent years, and discusses the remaining challenging issues in the field.

Informations bibliographiques

décembre 2024, env. 444 Pages, Series in Materials Science and Engineering, Anglais
Taylor and Francis
978-1-032-38357-6

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